論文

公開件数: 18 件
No. 掲載種別 単著・共著区分 タイトル 著者 誌名 出版者 巻号頁 出版日 ISSN DOI URL 概要
1 研究論文(学術雑誌)
共著
Screening of Undesirable Elements Raising the Electrical Resistivity in Very Narrow Cu Wires by Ab Initio Calculation
Takatoshi Naganoz, Kunihiro Tamahashi, Takashi Inami, Yasushi Sasajima,
Jin Onuki
Journal of The Electrochemical Society
The Electrochemical Society
164/ 9, D558-D563
2017/07/05

10.1149/2.0621709jes

We estimated segregation energy for compound impurities at the grain boundary in very narrow Cu wires using the ab initio calculation. From the calculation results, we clarified that the impurities such as FeO, Fe(ClO), TiO and Ti(ClO) have a strong segregation tendency at the Cu grain boundaries. The FE-TEM observation results of the Cu wires with Fe impurity atoms confirmed that the impurity atoms led to smaller grain sizes than the impurity-free case. The resistivity was measured as a function of the Cu wire width for various Fe impurity concentrations and the wire resistivity became higher with increased impurity concentration.
2 研究論文(学術雑誌)
共著
第一原理計算によるAl–Zn–Mg合金中の水素の存在位置の解析
永野 隆敏, 篠嶋 妥, 伊藤 吾朗
軽金属
一般社団法人 軽金属学会
66/ 7, 339-344
2016/08/30




3 研究論文(学術雑誌)
共著
Pinning Effect of Fe(ClO) and Ti(ClO) Compounds on Cu Grain Growth in Very Narrow Cu Wires
Takatoshi Nagano, Yasushi Sasajima, Nobuhiro Ishikawa, Kunihiro Tamahashi, Kishio Hidaka and Jin Onuki
ECS Electrochemistry Letters

4/ 11, D1-D5
2015




4 研究論文(学術雑誌)
共著
Search for Barrier Materials for Cu Interconnects in Integrated Circuits
Yasushi Sasajima, Yuki Kimura, Tetsunori Tsumuraya, Takatoshi Nagano and Jin Onuki
ECS J. Solid State Sci. Tech.

2, 351-356
2013




5 研究論文(学術雑誌)
共著
Cs-Corrected STEM Observation and Atomic Modeling of Grain
Boundary Impurities of Very Narrow Cu Interconnect
Takatoshi Nagano,z Kunihiro Tamahashi, Yasushi Sasajima, and Jin Onuki
ECS Electrochemistry Letters

2/ 6, H23-H25
2013/03/09

10.1149/2.001306eel


6 研究論文(学術雑誌)
共著
Effect of Point Defects on Lattice Constant in MgO Thin Film Deposited on Silicon (001) Substrate
S. Kaneko, T. Nagano, T. Ito, M. Yasui, T. Ozawa, M. Soga, Y. Motoizumi, H. Funakubo, M. Yoshimoto
European Physical Journal - Applied Physics


2012/05




7 研究論文(学術雑誌)
共著
Substrate temperature dependence of electrical and structural properties of Ru films
Takatoshi Nagano,Kazuya Inokuchi, Kunihiro Tamahashi, Nobuhiro Ishikawa, Yasushi Sasajima, Jin Onuki
Thin Solid Films

520/ 1, 374-379
2011/10/31




8 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Ab-initio calculation of (101) and (100) surface forβ-FeSi2
谷本悟、永野隆敏
Physics Procedia , Proceedings of APAC-SILICIDE 2010

11, 146-149
2011/02



We study the atomic and electric structure on the (101) and (100) surface of β-FeSi2 by ab-initio calculation using the projector augmented wave method (PAW). The cohesive energy calculated with the slab model show that the structure Si layer biased in the surface is stable. The simulated STM images indicate that the charge in the neighborhood of Fermi level concentrated on Fe-Si bonding.
9 研究論文(学術雑誌)
共著
Simulation of the growth of copper critical nucleus in dilute bcc Fe–Cu alloys
永野隆敏,榎本正人
Scripta Materialia

55/ 3, 223-226
2006/04



Fe-Cu合金のCu析出において、Cahn-Hilliardの非古典論を適用し、母相濃度と歪エネルギーの影響による析出核の濃度プロファイル、また、非線形拡散方程式を解くことで核成長における時間変化を計算した。
10 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Simulation of the growth of Cu critical nucleus calculated incorporating strain energy in Fe-Cu alloys
永野隆敏,榎本正人
The Materials Research Society of Japan

30/ 3, 869-872
2005/09




11 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Calculation of Interfacial Energy Between α and γ Iron Near a Rational Orientation Relationship
Masato Enomoto, Takatoshi Nagano, J.B. Yang
Proc.Int.Conf on Solid-Solid Phase Transformations in Inorganic Materials, TMS

67
2005/03



フェライト(α)/オーステナイト(γ)界面は鉄鋼の変態や組織形成に重要な役割を果たす。これまで、K-SやN-Wなどを有するα/γ界面について晶癖面など特定の面については界面エネルギーが検討されてきたが、界面エネルギーの最安定方位は少しずれている事についてO-lattice法と比較しながら検討した。
12 研究論文(学術雑誌)
共著
Optimized structures of Si28 and Ba@Si28 clusters: Ab initio study
Kazuo Tsumuraya,Takatoshi Nagano,Haruki Eguchi,H.Takenaka
International Journal of Quantum Chemistry

91/ 3, 328 - 332
2002/11



シリコンクラスレートは、Baなどの原子を内包させたときに生成されやすいことが報告されている。Ba原子位置のひとつであるSi28クラスタ-における構造安定性をBa原子の有無によって調べた。
13 研究論文(学術雑誌)
共著
Exohedral Bonding Nature of Si Atom on the Ba@Si28 Cluster; Ab Initio Study
Kazuo Tsumuraya,Takatoshi Nagano, Haruki Eguchi,H.Takenaka
Materials Transactions

43/ 4, 704-707
2002/04




14 研究論文(学術雑誌)
共著
Electronic structure, bonding nature, and charge transfer in Ba@Si20 and Si20 clusters:An ab-initio study
Takatoshi Nagano, Kazuo Tsumuraya, Haruki Eguchi, D.J.Singh
Physical Review B

64/ 15, pp155403-155414
2001/10




15 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Formation Energies of Ba Atom in Sin (n=20,24,28) Clusters: Ab-initio Study
Takatoshi Nagano,Kazuo Tsumuraya,Haruki Eguchi
Progress of Theoretical Physics Supplement,ICCP5 (The 5th International Conference on Computational Physics)

138, 130-132
2000



Siクラスレート内に面を共有して存在するクラスタ―Sin (n=20,24,28)にBa原子を内接させ、電子状態を解析し、その安定性の比較を行った。(基礎となる初期Si構造データ作成以外すべて)
16 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Ab-initio Prediction of Site Preferences Barium Atoms in a Silicon 46 Clathrate
Takatoshi Nagano,Kazuo Tsumuraya,Haruki Eguchi
Progress of Theoretical Physics Supplement ICCP5 (The 5th International Conference on omputational Physics)

138, 133-134
2000



Siクラスレートは、熱伝素子や超伝導素子として期待されている物質である。その構造のひとつであるSiクラスレート46におけるBa原子内包位置をPm3n-2aサイトであることを明らかにした。
17 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Ab-initio Calculation of Electronic Structure of Carbon Nitride : in Search of Super Hard Materials
Haruki Eguchi,Kszuo Tsumuraya,Takatoshi Nagano,S.Kihara
Society for the Advancement of Materal and Process Engineering

2, 1093-1096
1999/10



ダイヤモンドに代わる硬質材料として、炭素と窒素からなる物質を評価し、硬質材料としての可能性があることを示した`.
18 研究論文(学術雑誌)
共著
Bonding Nature of Si7 Bicapped Pentagon Cluster : Ab-initio Study
Haruki Eguchi, Kazuo Tsumuraya, Takatoshi Nagano,Shigemitsu Kihara
Materials Transactions.JIM,vol.40,No.11,pp.119801204

40/ 11, 1198-1204
1990/10



Si7原子からなるクラスターの電子状態を解析した。結合状態を正しく評価するには電子密度だけでなく、そのラプラシアンを評価することの必要性を明らかにした。