論文

公開件数: 75 件
No. 掲載種別 単著・共著区分 タイトル 著者 誌名 出版者 巻号頁 出版日 ISSN DOI URL 概要
1 研究論文(学術雑誌)
共著
Enhanced Photo-Induced Property of LPCVD-TiO2 Layer on PCVD-TiOx Initial Layer
Satoshi Yamauchi, Keisuke Yamamoto, Sakura Hatakeyama
Journal of Materials Science and Chemical Engineering

3/ 7, 28-38
2015/06/18

10.4236/msce.2015.37004


2 研究論文(学術雑誌)
共著
Drastic Resistivity Reduction of CVD-TiO2 Layers by Post-Wet-Treatment in HCl Solution
Satoshi Yamauchi, Kazuhiro Ishibashi, Sakura Hatakeyama
Journal of Crystallization Process and Technology

5, 24-30
2015/01/16

10.4236/jcpt.2015.51004


3 研究論文(学術雑誌)
共著
Low Resistive TiO Deposition by LPCVD Using TTIP and NbF5 in Hydrogen-Ambient
Satoshi Yamauchi, Kazuhiro Ishibashi, Sakura Hatakeyama
Journal of Crystallization Process and Technology

5, 12-23
2015/01/12

10.4236/jcpt.2015.51003


4 研究論文(学術雑誌)
共著
Low Pressure Chemical Vapor Deposition of TiO2 Layer in Hydrogen-Ambient
Satoshi Yamauchi, Kazuhiro Ishibashi, Sakura Hatakeyama
Journal of Crystallization Process and Technology

4, 185-192
2014/10/07

10.4236/jcpt.2014.44023


5 研究論文(学術雑誌)
共著
Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Nb and F Co-Doped TiO2 Layer
Satoshi Yamauchi, Shouta Saiki, Kazuhiro Ishibashi, Akie Nakagawa, Sakura Hatakeyama
Journal of Crystallization Process and Technology

4/ 2, 79-88
2014/04/03

10.4236/jcpt.2014.42011


6 研究論文(学術雑誌)
共著
Nondestructive evaluation of crystallized-particle size in lactose-powder by terahertz time-domain spectroscopy
S. Yamauchi, S. Hatakeyama, Y. Imai, M. Tonouchi
Optical Engineering

53/ 3, 031203-1-5
2014/03

10.1117/1.OE.53.3.031203


7 研究論文(学術雑誌)
共著
Plasma-assisted Chemical Vapor Deposition of Titanium Oxide layer at Room-Temperature
S. Yamauchi, H. Suzuki, R. Akutsu
Journal of Crystallization Process and Technology

4/ 1, 20-26
2014/01/08

10.4236/jcpt.2014.41003


8 研究論文(学術雑誌)
共著
Remote-plasma-assisted deposition of pentacene layer using atomic-hydrogen
S. Yamauchi, T. Minakuchi, M. Onodera
Journal of Crystallization Process and Technology

4/ 1, 14-19
2014/01/02

10.4236/jcpt.2014.41002


9 研究論文(学術雑誌)
共著
Terahertz time-domain spectroscopy to identify and evaluate anomer in lactose
S. Yamauchi, S. Hatakeyama, Y. Imai, M. Tonouchi
American Journal of Analytical Chemistry

4/ 12, 756-762
2013/12/16

10.4236/ajac.2013.412092


10 研究論文(学術雑誌)
共著
ZnO Heteroepitaxy on Sapphire Using a Novel Buffer Layer of Titanium Oxide: Optoelectronic Behavior
Satoshi Yamauchi, Yoh Imai
Crystal Structure Theory and Applications

2/ 3, 100-105
2013/09/25

10.4236/csta.2013.23013


11 研究論文(学術雑誌)
共著
Measurements of Nonlinear Refractive Index
of Optical Fiber by Using Multiple Interference in OFRR
Yoh Imai, Hirohisa Yokota, Satoshi Yamauchi
Photonics and Optoelectronics

2/ 3, 77-83
2013/07




12 研究論文(学術雑誌)
共著
ZnO Heteroepitaxy on Sapphire Using a Novel Buffer Layer of Titanium Oxide: Crystallographic Behavior
Satoshi Yamauchi, Yoh Imai
Crystal Structure Theory and Applications

2, 39-45
2013/06




13 研究論文(学術雑誌)
共著
Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition of TiO2 Thin
Films for Highly Hydrophilic Performance
Satoshi Yamauchi, Yoh Imai
Crystal Structure Theory and Applications

2, 1-7
2013/03




14 研究論文(学術雑誌)
共著
Coherent effect on decryption characteristics in message modulation type chaos secure communication systems using fiber-optic ring resonators
Y. Imai, S. Yamauchi, H. Yokota, T. Suzuki, K. Tsuji
Optics Communications

282, 4141-4145
2009/07/28




15 研究論文(学術雑誌)
共著
Proposal for nonlinear refractive index measurement by using spectral ratio in modulated OFRR dynamics
M. Mumuro, Y. Imai, S. Yamauchi, K. Suzuki
Optics Communications

281, 469-473
2008/02




16 研究論文(学術雑誌)
共著
Surface treatment of Si using hydrogen-plasma to improve optoelectronic property of ZnO on (111)Si
Satoshi Yamauchi, Hirokatsu Kawasaki, Takashi Hariu
Jpn.J.Appl.Phys.

44/ 11, 7801-7804
2005/11/09




17 研究論文(学術雑誌)
共著
Photoluminescence studies of undoped and nitrogen-doped ZnO layers grown by plasma-assisted epitaxy
S. Yamauchi, Y. Goto, T. Hariu
J. Crystal Growth

260, 1-6
2004/01



窒素ドーピングでは従来不可能とされてきたZnO中での浅いアクセプターレベルの形成をプラズマ・アシステド・エピタキシー法により初めて可能にした。
18 研究論文(学術雑誌)
共著
Plasma-assisted epitaxial growth of ZnO layer on sapphire
S. Yamauchi, T. Ashiga, A. Nagayama, T. Hariu
J. Crystal Growth

214/215, 63-67
2000/06



サファイア上へのZnO薄膜の成長における成長初期段階での制御により、高い成長速度でのエピタキシャル成長がが可能であることを示した。
19 研究論文(学術雑誌)
共著
Suppresion of gate leakage current in n-AlGaAs/GaAs power HEMTs
A. Nagayama, S. Yamauchi, T. Hariu
IEEE Trans. on Electron Devices

47, 517-522
2000/03



最適な濃度のNH4OH水溶液によるGaAs表面処理と窒化シリコン不活性化膜堆積時のガス成分の最適化がゲートリーク電流の低減に効果的であることを見出し、AlGaAs/GaAsHEMTデバイス作製プロセス適用した、著しい特性改善を可能にした。
20 研究論文(学術雑誌)
共著
Low temperature epitaxial growth of ZnO layer by plasma-assisted epitaxy
S. Yamauchi, H. Handa, A. Nagayama, T. Hairu
Thin Solid Films

345, 12-17
1999/06



酸素プラズマを用いてZnO薄膜を低温でエピタキシャル成長させることにより、膜中の酸素欠損を著しく減少させることが可能になり、良好な発光特性が得られることを示した。
21 研究論文(学術雑誌)
共著
Total low temperature plasma process for epitaxial growth of compound semiconductors on Si: InSb/Si
S. Yamauchi, T. Hariu, H. Ohba, K. Sawamura
Thin Solid Films

316, 93-99
1998/05



Si上へのInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長を実現するためのSi表面の清浄化及び不活性化プロセスを構築し、且つ、大きな格子不整合を緩和できる初期成長層を提案し、それらを用いることによりInSbのヘテロエピタキシャル成長を可能にした。
22 研究論文(学術雑誌)
共著
High reliable lead-zirconate- titanate growth using reactive sputtering and rapid thermal annealing
S. Yamauchi, M. Yoshimaru
Integrated Ferroelectrics

14, 159-166
1997/02



Pb(Zr,Ti)O3を下地結晶の原子配列に沿って成長させるためには、膜全体の組成、深さ方向の均一性、スパッタ法による成長時のプラズマの状態が重要であることを示し、これらを制御することにより膜疲労特性が飛躍的に改善されることを示した。
23 研究論文(学術雑誌)
共著
Growth of [111]-oriented lead zirconate titanate thin film with smooth surface to improve electrical properties
S. Yamauchi, M. Yoshimaru
Jpn. J. Appl. Phys.

35, 1553-1556
1996/02



Pb(Zr,Ti)O3膜をPt層の原子配列に沿って成長させることにより強誘電体特性が改善できることを示し、また薄膜化に伴う残留分極量の減少が薄膜の面間距離に依存することを示唆した。
24 研究論文(学術雑誌)
共著
Plasma-cracked supply of group V and group VI elements for low temperature epitaxy
T. Hariu, S. Yamauchi, S. F. Fang, T. Ohshima, T. Hamada
J. Cryst. Growth

136, 157-161
1994/03



Ⅲ-Ⅴ族及びⅡ-Ⅵ族化合物半導体のプラズマ・アシステド・エピタキシャル成長においてⅤ族及びⅥ族原料が原子状にクラッキングされることが低温成長に大きく寄与していることを明らかにした。
25 研究論文(学術雑誌)
共著
Electrical and crystallographic properties of sputtered- Pb(Zr,Ti)O3 films treated by rapid thermal annealing
S. Yamauchi, H. Tamura, M. Yoshimaru, M. Ino
Jpn. J. Appl. Phys.

32, 4118-4121
1993/09



強誘電体Pb(Zr,Ti)O3膜を複合金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法と急速熱処理により形成し、その特性が従来の方法で形成したものよりも優れていることを示した。
26 研究論文(学術雑誌)
共著
Effect of enhanced reactivity in plasma-assisted epitaxial growth of ZnSe
S. Yamauchi, T. Hariu, S. Ono
J. Cryst. Growth

115, 660-663
1991/08



ZnSeの成長の際に用いる水素及び水素・窒素混合ガスプラズマ中で生成される励起種をプラズマ発光分光分析により検出し、プラズマ励起窒素が浅いアクセプタとして導入されることを示した。
27 研究論文(学術雑誌)
共著
Interface characterization of ZnSe/GaAs heterojunctions
T. Hariu, S. Yamauchi, H. Tanaka, S. Ono
Appl. Surf. Sci.

48/49, 204-208
1991/07



従来困難であったGaAsの表面特性の解析を可能にする新しい評価法を提案し、更にSeを含む水素プラズマ処理によりGaAs表面特性の制御が可能となることを示した。
28 研究論文(学術雑誌)
共著
ZnSe/GaAs heterointerface characterization by a new DLTS analysis
T. Hariu, S. Yamauchi, T. Kitagaki, Y. Numagami
Defect Control in Semiconductor

1343-1348
1989/09



GaAsの表面準位を測定する新しいDLTS法の提案とその方法により評価したZnSe/GaAs界面の特性を示した。
29 研究論文(学術雑誌)
共著
The effect of hydrogen plasma on the low temperature epitaxial growth of InSb
T. Ohshima, S. Yamauchi, T. Hariu
Jpn. J. Appl. Phys.

28, L13-L15
1989/01



InSbの低温エピタキシャル成長に水素プラズマが有効であることを実験的に検証した。
30 研究論文(学術雑誌)
共著
Photoelectric properties of ZnSe films grown by plasma-assisted epitaxy in mixed plasma gas H2+N2
S. Yamauchi, T. Hariu
Appl. Surf. Sci.

33/34, 862-867
1987/08



水素・窒素混合ガスプラズマを用いて
ZnSeのエピタキシャル成長を行い、窒素をプラズマ励起することにより浅いアクセプタ準位を導入できることを初めて示し、p型ZnSe形成の可能性を示した。
31 研究論文(学術雑誌)
共著
Low temperature epitaxial growth of highly-conductive ZnSe layers in mixed plasma of hydrogen and hydrogen chloride
S. Yamauchi, H. Hariu, K. Matsushita
Jpn. J. Appl. Phys

26, L893-L895
1987/06



水素・窒素混合ガスプラズマを用いて
青色LED、LDに必要な低抵抗n型ZnSe成長のためのドナー不純物として塩素が非常に有効であることを示し、従来の方法に比べ抵抗率を飛躍的に低減することに成功した。
32 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Selective Cu-deposition by LPCVD using CuI
Satoshi Yamauchi, Taiji Nishikawa
Extended Abstract of ADMETA plus 2016

22-23
2016/10/20




33 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Evaluation of interfacial water on super-hydrophilic surface by THz-TDS
S. Yamauchi, Y. Imai, M. Tonouchi
The 38th Inte'l Conf. on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves, proceeding

Mo P1-14
2013/09/02




34 (MISC)総説・解説(国際会議プロシーディングズ)
共著
Nondestructive evaluation of Lactose including anomer and crystallized particles
S. Yamauchi, S. Hatakeyama, Y .Imai, and M. Tonouchi
Proc. International Workshop on Optical Terahertz Science and Technology 2013

Th3-38
2013/04/04




35 (MISC)総説・解説(国際会議プロシーディングズ)
共著
ANALYSIS OF MULTILAYERED THz WAVEGUIDE BY USING POLYMER TUBES WITH DIFFERENT INDICES
Y .Imai, T. Kuroda, S. Yamauchi, H. Yokota and M. Tonouchi
Proc. 3rd International Symposium on Terahertz Nanoscience

56
2012/12/12




36 (MISC)総説・解説(国際会議プロシーディングズ)
共著
TERAHERTZ-TIME DOMAIN SPECTROSCOPY FOR LACTOSE ANALYSIS
ON THE STEREOISOMER AND THE PARTICLE SIZE
S. Hatakeyama, S. Yamauchi, Y .Imai, and M. Tonouchi
Proc. 3rd International Symposium on Terahertz Nanoscience

54
2012/12/12




37 (MISC)総説・解説(国際会議プロシーディングズ)
共著
Qualitative and quantitative analysisi of lactose-anomer by THz-TDS
S. Yamauchi, Y .Imai, and M. Tonouchi
Proc. International Symposium on Terahertz Nanoscience

204
2011/09




38 (MISC)総説・解説(国際会議プロシーディングズ)
共著
Measurement of nonlinear refractive index by using input-output characteristics in OFRR nonlinear dynamics
Y. Imai, S. Yamauchi, H. Yokota, and S. Wei
Proc. 21th International Conference on Optical Fiber Sensors

8011-31
2011/08




39 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Determination of stereoisomer in sugars by THz-TDS
Satoshi Yamauchi, Yoh Imai, Hirohisa Yokota, Masayoshi Tonouchi
The 22nd General Congress of the International Commission for Optics (ICO-22), Proc. of SPIE

8011, 80118L-1-7
2011/08




40 (MISC)総説・解説(国際会議プロシーディングズ)
共著
Measurement of nonlinear refractive index by using input-output characteristics in OFRR nonlinear dynamics
Y. Imai, S. Yamauchi, H. Yokota, and S. Wei
Proc. 21th International Conference on Optical Fiber Sensors

7753-186
2011/06




41 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Dielectric behavior in THz of Water influenced by alkaline- and alkali-earth-halides
S. Yamauchi, K. Takayama, Y. Imai, K. Takeya, M. Tonouchi
The 35th Inte'l Conf. on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves, proceeding

We-P.33
2010/09/05

978-1-4244-6656-6


42 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
THz-TDS study for water analysis on aqueous solution of alkali and alkaline-earth halides
T. Suzuki, K. Takayama, S. Yamauchi, Y. Imai, M. Tonouchi
2nd International Workshop on Terahertz Technology,Extended Abstracts

2p-08
2009/11/30




43 (MISC)総説・解説(国際会議プロシーディングズ)
共著
Measurement of Water Absorption Coefficient using Terahertz Time-Domain Spectroscopy
T. Suzuki, K. Takayama, S. Yamauchi, Y. Imai
The 34th Inte'l Conf. on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves

M5E27.0371
2009/09/22




44 研究論文(国際会議プロシーディングス)
単著
Plasma-assisted epitaxial growth of nitrogen-doped and high-quality ZnO thin films
S. Yamauchi
SPIE Photonics West 2008, Proceedings of SPIE

6895
2008/01

10.1117/12.774945

プラズマ・アシステド・エピタキシー法によりZnO薄膜を形成する際に酸素と窒素混合ガスプラズマを用いることで浅いアクセプタの導入が可能になること、および、1nm程度のTi2O3バッファー層を用いることでZnO薄膜の結晶性を飛躍的に向上できることを示した。
45 (MISC)総説・解説(国際会議プロシーディングズ)
共著
Effect of water cluster on absorption property in terahertz time-domain spectroscopy
S. Yamauchi, Y. Aoyagi, A. Okamoto, Y. Imai, M. Tonouchi
Join 32nd int’l Conf. on Infrared and Millimeter waves and 15th int’l Conf.

664-665
2007/09



水の構造を解析する方法としてテラヘルツ波時間領域分光分析法を提案し、実験結果より磁気処理有無による吸収特性の差異を初めて見出すことで水の構造分析に有効であることを示した。
46 (MISC)総説・解説(国際会議プロシーディングズ)
共著
Proposal for Nonlinear Refractive Index Measurement by Using Spectral Ratio in Modulated OFRR Dynamics
Y. Imai, M. Mimuro, S. Yamauchi, K. Suzuki
18th International Conference on Optical Fiber Sensors

TuE30
2006/10/23




47 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
A novel buffer layer using titanium-oxide for ZnO epitaxial growth on sapphire
Toru Miyamura, Satoshi Yamauchi
Ext.Abstract of the 2005 int'l Conf. on Solid State Devices and Materials


2005/09/13




48 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Plasma-assisted epitaxial growth of ZnO layer on sapphire by plasma-assisted epitaxy
S. Yamauchi, T. Hariu
MRS Symp. Proc.

680E, E8.5.1-5.5
2001/02




49 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Plasma-assisted epitaxial growth of ZnO layer on sapphire
S. Yamauchi, T. Ashiga, A. Nagayama, T. Hariu
9th Int'l Conf. on II-VI Compounds

230
1999/11



サファイア上へのZnO薄膜の成長において成長初期段階での核発生確率が小さいことに着目し、成長初期段階での制御を行うことによりZnO薄膜の結晶性の改善が可能であることを示した。
50 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
The simplest stacked BST capacitor for the future DRAMs using a novel low temperature growth enhanced crystallization
S. Takehiro, S. Yamauchi, M. Yoshimaru, H. Onoda
Symp. VLSI Technology Digest

153-154
1997/05



将来のDRAMに適用可能で、且つ最も単純なスタック型キャパシタの作製が結晶化を促進させたBST薄膜の形成方法で可能になることを示した。
51 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Low-temperature deposition of (Ba,Sr)TiO3 thin films for ULSI DRAM applications by the initial rf-sputtering step control
S. Takehiro, S. Yamauchi, M. Yoshimaru
Proc. 6th Int'l Symp. on ULSI Science and Technology

263-272
1997/05



成長初期段階での制御を行なうことにより、ULSI対応の電気的特性を有するBST薄膜を低温で形成できることを示した。
52 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
High reliable PZT growth using conventional reactive sputtering and rapid thermal annealing
S. Yamauchi, M. Yoshimaru
Abstract 8th ISIF

C39
1996/03



反応性スパッタ法によるPZTの低温成長と急速熱処理により形成した強誘電体PZT薄膜が優れた膜特性を有することを示した。
53 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Quasi-epitaxial growth of PZT thin film tofabricate capacitor suitable for 256Mb DRAM and beyond
S. Yamauchi, M. Yoshimaru
Ext. Abstract SSDM

291-293
1995/08



表面処理されたPt上に反応性スパッタ法により低温で膜組成と分布を精確に制御したPZT層を形成し急速熱処理により再結晶化させることによりPtの原子配列に沿った原子配列のPZT層を形成でき、256Mb以上の集積度のDRAMに適用可能であることを示した。
54 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Crystallographic and electrical studies of sputtered lead-zirconate-titanate (PZT) thin films treated by rapid thermal annealing
S. Yamauchi, M. Yoshimaru, M. Ino
Proc. Int'l Conf. AMDP

631-636
1994/02



反応性スパッタ法によるパイロクロア相PZTの低温成長及び急速熱処理によるペロブスカイト相への再結晶化が強誘電体PZT薄膜の形成に非常に有効であることを示した。
55 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Plasma-process for substrate surface-cleaning and successive epitaxial growth of semiconductors
T. Hariu, S. Yamauchi, T. Ohshima, H. Takei, T. Hamada
Proc. APCPST. CJSPC and CCPST

87-90
1992/02



プラズマ・アシステド・エピタキシー法がSi表面の清浄化及びSi上への化合物半導体の低温エピタキシャル成長に有効であることを示した。
56 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Plasma-assisted epitaxial growth of ZnSe films in hydrogen plasma
S. Yamauchi, T. Hariu
MRS Symp. Proc.

161, 147-152
1990/12



水素ガスプラズマをベースとしたプラズマ・アシステド・エピタキシー法により高純度ZnSe、低抵抗n型ZnSe薄膜の成長が可能であることを示し、且つ水素・窒素混合ガスプラズマを用いることにより浅いアクセプターの導入が可能であることを示した。
57 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Importance of V/III supply ratio in low temperature epitaxial growth of InSb by plasma -assisted epitaxy
T. Ohshima, S. Yamauchi, T. Hariu
Proc. 16th Symp. on GaAs & Related Compounds

241-244
1989/09



InSbの低温エピタキシャル成長におけるⅤ/Ⅲ供給比の重要性を示した。
58 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Plasma-assisted surface treat- ment of GaAs for improved ZnSe/GaAs heterostructures
S. Yamauchi, T. Kitagaki, T. Hariu
Proc. 16th Symp. on GaAs & Related Compounds

411-416
1989/09



GaAsの表面特性が水素・窒素混合ガスプラズマ及びSeを含む水素ガスプラズマにより改善できることを示した。
59 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Optical emission spectroscopy in plasma-assisted epitaxial growth of compound semiconductors
T. Hariu, S. F. Fang, S. Yamauchi, T. Ohshima
Proc. 9th Int'l Symp. on Plasma Chemistry

1263-1266
1989/09



プラズマ・アシステド・エピタキシー法により化合物半導体を低温エピタキシャル成長させる際にプラズマ中で生成される励起種を検出し、有効な励起種を示した。
60 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Plasma-assisted atomic layer epitaxial growth of ZnSe
T. Kitagaki, S. Yamauchi, T. Hariu
Proc. JSAP-MRS Int'l Conf. on Electronic Materials

121-124
1989/08



プラズマプロセスによりZnSeの低温原子層エピタキシャル成長が可能であることを示した。
61 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Low temperature epitaxial growth of InSb on GaAs
T. Hariu, T. Ohshima, S. Yamauchi
Proc. 15th Symp. GaAs & Related Compounds

233-236
1988/09



InSbのGaAs上へのヘテロエピタキシャル成長におけるプラズマの効果を示した。
62 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Plasma-assisted epitaxial growth of compound semiconductors
T. Hariu, Q. Z. Gao, S. F. Fang, S. Yamauchi, T. Kitagaki
Proc. 1st China-Japan Symp. on Plasma Chemistry

256-259
1988/07



プラズマ・アシステド・エピタキシー法がⅢ-Ⅴ族化合物半導体の低温エピタキシャル成長に有効であることを示した。
63 研究論文(国際会議プロシーディングス)
共著
Doping properties of ZnSe layers grown by plasma-assisted epitaxy
S. Yamauchi, K. Matsushita, T. Hariu
Proc. 8th Int'l Symp. on Plasma Chemistry

1224-1229
1987/09



プラズマ・アシステド・エピタキシー法によるZnSeヘテロエピタキシャル成長におけるドーピング特性を明らかにした。
64
共著
Selective Cu-deposition by LPCVD using CuI
T. Nishikawa, S. Yamauchi
Extended Abstract of ADMETA plus 2016 Asian Session

22-23
2016/10/20




65 (MISC)その他記事
共著
プラズマCVD法により形成した親水性TiO2薄膜の膜厚特性
熊谷幸樹、宮村 徹、山内 智
第14回電気学会東京支部茨城支所研究発表会 講演予稿集

68
2006/12/02




66 (MISC)その他記事
単著
プラズマCVD法による酸化チタン薄膜の形成と親水性特性
山内 智
第44回CVD研究会 講演予稿集


2006/11/30




67 (MISC)その他記事
共著
Characteristics of the magnetized rf oxygen plasma for ZnO film synthesis based on mass-selective momentum control
Yasushi Nakano, Naoyuki Sato, Takashi Ikehata, Satoshi Yamauchi, Jin Oonuki
Plasma Science Symposium 2005/The 22nd Symposium on Plasma Processing


2005/01/26




68 (MISC)その他記事
共著
Production of zinc-oxide mixture plasma for ZnO film synthesis based on mass-selective momentum control
Naoyuki Sato, Satoshi Yamauchi, Takashi Ikehata,Yasushi Nakano, Jin Oonuki
Plasma Science Symposium 2005/The 22nd Symposium on Plasma Processing


2005/01/26




69 (MISC)その他記事
共著
Purity of source materials and elimination of residual impurities in ZnSe epitaxial growth
F. Ito, T. Hamada, S. Yamauchi, T. Hariu
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp.

12, 297-302
1993/10



ZnSeの低温エピタキシャル成長膜に混入する不純物がⅦb族元素であり、混入源がⅥ族原料のSeであることを示した。
70 (MISC)その他記事
共著
Surface state characterization by a new DLTS analysis
H. Ohba, T. Hamada, S. Yamauchi, T. Hariu
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp.

11, 175-180
1992/10



半導体の表面準位を測定する新しいDLTS法の提案とその妥当性をSiO2/Si界面の測定で示し、ZnSe/GaAsヘテロ界面特性を明らかにし、その改善法を示した。
71 (MISC)その他記事
共著
Optical emission spectro- scopy in plasma-assisted epitaxial growth of ZnSe
S. Yamauchi, T. Hariu, S. Ono
Proc. Jpn. Symp. Plasma Chemistry

4, 267-272
1991/07



プラズマ・アシステド・エピタキシ法によるZnSeのエピタキシャル成長での活性種および窒素ドープで有効な活性種の検出を行なった。
72 (MISC)その他記事
共著
Composition control of InxGa1-xSb layers grown by plasma-assisted epitaxy
T. Ohshima, S. Yamauchi, T.Hariu
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp.

9, 111-116
1990/10



プラズマ・アシステド・エピタキシ法によりInGaSbを低温エピタキシャル成長する場合に、Ⅲ族/Ⅴ族供給比と印加高周波電力を最適化することにより、より良質の薄膜が得られることを示した。
73 (MISC)その他記事
共著
Heteroepitaxial growth of compound and alloy semiconductors by plasma-assisted epitaxy
T. Hariu, Q. Z. Gao, S. F. Fang, S. Yamauchi, T. Ohshima
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp.

8, 407-414
1989/10



プラズマ・アシステド・エピタキシ法でⅤ族/Ⅲ族供給比を精確に制御することにより低温エピタキシャル成長が実現でき、またSi表面を水素プラズマにより処理することによりSi上へⅢ-Ⅴ族化合物半導体の低温エピタキシャル成長が可能になることを示した。
74 (MISC)その他記事
共著
Alloy semiconductors for a few micrometer-wavelength optoelectronic devices by plasma-assisted epitaxy
T. Hariu, Q. Z. Gao, S. F. Fang, S. Yamauchi, T. Ohshima
Record of Alloy Semiconductor Phys. and Elect. Symp.

7, 471-478
1988/10



赤外光域での光デバイス形成に必要なⅢ-Ⅴ族化合物半導体の低温エピタキシャル成長にプラズマ・アシステド・エピタキシ法が有効であることを示した。
75 (MISC)その他記事
共著
Characterization of H2+N2 mixed gas plasma for N-doped ZnSe epitaxial growth
S. Yamauchi, T. Hariu
Proc. Jpn. Symp. Plasma Chemistry

1, 67-72
1988/07



プラズマ・アシステド・エピタキシ法により水素・窒素混合ガスプラズマを用いてZnSe中に浅いアクセプタを導入する場合の反応種をプラズマ発光分光分析法により明らかにした。