茨城大学
理工学研究科(工学野)
電気電子システム工学領域

教授

鵜殿 治彦

ウドノ ハルヒコ
UDONO Haruhiko

経歴

  1. 茨城大学工学部 電気電子工学科 助手 1996/04-2004/03
  2. 筑波大学先端学際領域研究センタープロジェクト客員研究員(併任) 2001/04-2004/03
  3. 東京大学 物性研究所 外来研究員 2001/10/01-2012/03/31
  4. 茨城大学工学部 電気電子工学科 助教授 2004/04/01-2007/03/31
  5. 茨城大学工学部 電気電子工学科 准教授 2007/04/01-2012/03/31
  6. カリフォルニア大学バークレー・客員(文科省海外先進研究プログラム) 2008/07-2009/02
  7. 茨城大学工学部 電気電子工学科 教授 2012/04/01-現在

学歴

  1. 静岡大学 電子科学研究科 電子応用工学専攻 博士 1996 修了
  2. 静岡大学 工学研究科 電子工学専攻 修士 1993 修了
  3. 静岡大学 工学部 電子工学科 1991 卒業

学位

  1. 博士(工学) 静岡大学

研究分野

  1. 電子・電気材料工学
  2. 半導体工学・半導体材料・デバイス
  3. 応用物性
  4. 結晶工学

研究キーワード

  1. シリサイド半導体、熱電変換、シリコンフォトニクス、赤外受光素子、太陽電池、バルク単結晶、薄膜、表面、ナノ構造、結晶成長、分子線エピタキシー

研究テーマ

  1. β-FeSi2単結晶の育成技術の開発と物性評価 1999-現在

共同・受託研究希望テーマ

  1. シリサイド半導体結晶の成長技術の開発と赤外受発光素子,熱電素子への応用 産学連携等、民間を含む他機関等との共同研究を希望 技術相談,受託研究,共同研究
  2. 溶液成長技術の利用 産学連携等、民間を含む他機関等との共同研究を希望 技術相談,受託研究,共同研究
  3. 電気・熱物性評価技術の開発 産学連携等、民間を含む他機関等との共同研究を希望 技術相談,受託研究,共同研究

著書

  1. 熱電変換材料 実用・活用を目指した設計と開発 情報機構 2014/12/19
  2. シリサイド系半導体の科学と技術-資源・環境時代の新しい半導体と関連物質- 前田佳均編著 裳華房 2014/09/25
  3. サーマルマネージメント-余熱・排熱の制御と有効利用- 第4章第1節1.1 シリサイド系熱電材料の開発 鵜殿治彦 株)エヌ・ティー・エス 2013/04/17 978-4-86469-060-7
  4. Thermoelectrics and its Energy Harvesting Chap.18 "Preparation and thermoelectric properties of Iron Disilicide " Y. Isoda and H. Udono CRC Press 2012 978-1-4398-7470-7

論文

  1. 研究論文(学術雑誌) 共著 Enhanced thermoelectric properties of InSb: Studies on In/Ga doped GaSb/InSb crystals V. Nirmal Kumar, Y. Hayakawa, H. Udono, Y. Inatomi Intermetallics 105, 21-28 2019/02/01 10.1016/j.intermet.2018.11.006
  2. Origins of the nitrogen-related deep donor center and its preceding species in nitrogen-doped silicon determined by deep-level transient spectroscopy Nakamura Minoru, Murakami Susumu, Udono Haruhiko Applied Physics Express Japan Society of Applied Physics 12/ 2, 21005-21005 2019/02/01 1882-0778 URL
  3. (MISC)総説・解説(学術雑誌) 単著 赤外センサ用Mg2Si結晶の融液成長 鵜殿 治彦 日本結晶成長学会誌 日本結晶成長学会 45/ 3 2018/10 0385-6275 URL <p>  We have grown high purity n-type Mg2Si single crystals by the vertical Bridgman growth method using a pyrolitic graphite (PG) crucible and high purity Mg (5N or 6N-up) and Si (10N-grade) source metals. The saturated electron concentration and Hall mobility of the grown crystals were (1 - 2) × 1015 cm-3 and 480 - 485 cm2/Vs at room temperature. Mg2Si substrates prepared from the crystals had an enough crystalline quality to fabricate pn-junction photodiodes (PDs). The ring-electrode-type, pn-junction PD fabricated by the rapid thermal diffusion of Ag and conventional lift-off process showed a good photoresponse below 2 μm in wavelength. The detectivity D* of 1 × 1012 cmHz1/2/W has been achieved with the PDs under 1.31 μm laser diode (LD) bombardment at 77K.</p>
  4. 研究論文(学術雑誌) 共著 Characterization of iron in silicon by low-temperature photoluminescence and deep- level transient spectroscopy Minoru Nakamura, Susumu Murakami and Haruhiko Udono J. Appl. Phys. 123, 105101 2018/10/01 10.1063/1.5019958
  5. 研究論文(学術雑誌) 共著 Crystal growth of Mg2Si for IR-detector spectroscopy Toshio Tokairin, Junya Ikeda,Haruhiko Udono J. Crystal Growth 468, 761-765 2017/06/15 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.004

研究発表

  1. ポスター発表 その場熱処理によるMg2Si結晶のキャリア濃度の低減 第66回応用物理学会春期学術講演会 2019/03/10
  2. ポスター発表 C-V法によるn型Mg2Si結晶のキャリア濃度測定 第66回応用物理学会春期学術講演会 2019/03/10
  3. ポスター発表 ウエットエッチングによるMg2Si結晶欠陥の観察 第66回応用物理学会春期学術講演会 2019/03/10
  4. 口頭発表(一般) Mg2S赤外線フォトダイオードの分光感度 平成30年度 電気学会東京支部茨城支所研究発表会 2018/11/17
  5. 口頭発表(一般) OCVD法によるMg2Siのライフタイム評価 平成30年度 電気学会東京支部茨城支所研究発表会 2018/11/17

知的財産権

  1. 特許 GaあるいはSnでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体およびその製造方法 特願2010-75467 2010/03/30
  2. 特許 シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法 2008-303078 2008/12/18
  3. 特許 β-FeSi2結晶の製造法および製造装置 2000/06/16 2002-3300 3912959 2007/02/09
  4. 特許 鉄シリサイド結晶の製造方法 1999/02/22 2000-247624 3891722 2006/12/15

受賞

  1. Young Scientist Award (APAC-Silicide 2019) Comparison of crystalline quality and electrical property of Mg2Si crystals grown using PBN and PG graphite crucible 2019/07/23 指導学生受賞
  2. 平成30年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 学生発表優秀賞口頭発表(指導学生) Znを添加したMg2Sn結晶の融液成長 2018/11/17 指導学生の受賞
  3. 平成30年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 学生発表優秀賞口頭発表(指導学生) OCVD法によるMg2Siのライフタイム評価 2018/11/17 指導学生の受賞
  4. 平成29年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 学生発表優秀賞ポスター(指導学生) 溶融Mg2Si結晶の添加不純物による酸化効果への影響 2017/11/18 指導学生の受賞
  5. 平成28年度電気学会東京支部茨城支所研究発表会 学生発表優秀賞ポスター(指導学生) Mg2Siを用いたフォトダイオードの光検出器としての性能評価 2016/12/17 指導学生の受賞

所属学協会

  1. 応用物理学会 1993/03-現在
  2. 応物 シリサイド系半導体及び関連物質研究会 2001/04-現在
  3. 電子情報通信学会
  4. 米国材料科学会
  5. 米国物理学会 2006/05-現在

委員歴

  1. 応物 シリサイド系半導体及び関連物質研究会 副委員長、企画委員 2019/01/01-2021/12/31
  2. 日本熱電学会 評議員 2018/09/01-2020/08/31
  3. 日本熱電学会 評議員 2016/09/01-2018/08/31
  4. 応物 シリサイド系半導体及び関連物質研究会 企画委員 2016/01/01-2018/12/31
  5. 日本熱電学会 評議員 2014/09/01-2016/08/31