茨城大学
工学部
電気電子工学科

教授

鵜殿 治彦

ウドノ ハルヒコ
UDONO Haruhiko

経歴

  1. 茨城大学工学部 電気電子工学科 助手 1996/04-2004/03
  2. 筑波大学先端学際領域研究センタープロジェクト客員研究員(併任) 2001/04-2004/03
  3. 東京大学 物性研究所 外来研究員 2001/10/01-2012/03/31
  4. 茨城大学工学部 電気電子工学科 助教授 2004/04/01-2007/03/31
  5. 茨城大学工学部 電気電子工学科 准教授 2007/04/01-2012/03/31
  6. カリフォルニア大学バークレー・客員(文科省海外先進研究プログラム) 2008/07-2009/02
  7. 茨城大学工学部 電気電子工学科 教授 2012/04/01-現在

学歴

  1. 静岡大学 電子科学研究科 電子応用工学専攻 博士 1996 修了
  2. 静岡大学 工学研究科 電子工学専攻 修士 1993 修了
  3. 静岡大学 工学部 電子工学科 1991 卒業

学位

  1. 博士(工学) 静岡大学

研究分野

  1. 機能材料
  2. 半導体工学・半導体材料・デバイス
  3. 応用物性・結晶工学

研究キーワード

  1. シリサイド半導体、熱電変換、シリコンフォトニクス、赤外受光素子、太陽電池、バルク単結晶、薄膜、表面、ナノ構造、結晶成長、分子線エピタキシー

研究テーマ

  1. β-FeSi2単結晶の育成技術の開発と物性評価 1999-現在

共同・受託研究希望テーマ

  1. シリサイド半導体結晶の成長技術の開発と赤外受発光素子,熱電素子への応用 産学連携等、民間を含む他機関等との共同研究を希望 技術相談,受託研究,共同研究
  2. 溶液成長技術の利用 産学連携等、民間を含む他機関等との共同研究を希望 技術相談,受託研究,共同研究
  3. 電気・熱物性評価技術の開発 産学連携等、民間を含む他機関等との共同研究を希望 技術相談,受託研究,共同研究

著書

  1. 熱電変換材料 実用・活用を目指した設計と開発 情報機構 2014/12/19
  2. シリサイド系半導体の科学と技術-資源・環境時代の新しい半導体と関連物質- 前田佳均編著 裳華房 2014/09/25
  3. サーマルマネージメント-余熱・排熱の制御と有効利用- 第4章第1節1.1 シリサイド系熱電材料の開発 鵜殿治彦 株)エヌ・ティー・エス 2013/04/17 978-4-86469-060-7
  4. Thermoelectrics and its Energy Harvesting Chap.18 "Preparation and thermoelectric properties of Iron Disilicide " Y. Isoda and H. Udono CRC Press 2012 978-1-4398-7470-7

論文

  1. (MISC)総説・解説(学術雑誌) Si中Cu,Niの熱的振る舞い:フォトルミネッセンス/DLTS測定 中村 稔, 村上 進, 鵜殿 治彦 表面科学 公益社団法人 日本表面科学会 37/ 3, 128-133 2016/03 0388-5321 URL The influence of diffusion temperature on the formation of one type of Cu center denoted as CuDLB center, the relationship between the concentrations of the CuDLB center after the diffusion of Cu and those of contaminated Cu on sample surfaces, and the transformation of the CuDLB center to another type of Cu center denoted as the CuDLA center by annealing were investigated by photoluminescence and deep-level transient spectroscopy (DLTS) measurements. It was found that the CuDLB center is composed of one core Cu atom and weakly bonded three interstitial Cu atoms around the core and that the CuDLA center is the core of the CuDLB center. For Ni, the depth profiles of the substitutional Ni (Ni center) in silicon diffused with various concentrations of the element were measured by DLTS, and were found to be controlled by the temperature-dependent outdiffusion of Ni.
  2. 研究論文(学術雑誌) 共著 Transformation of the nickel donor center by annealing in silicon measured by deep-level transient spectroscopy Minoru Nakamura, Susumu Murakami, and Haruhiko Udono Jpn. J. Appl. Phys. 55, 11302 2015/12/10 10.7567/JJAP.55.011302
  3. 研究論文(学術雑誌) 共著 Thermal expansion of semiconducting silicides b-FeSi2 and Mg2Si Motoharu Imai, Yukihiro Isoda, Haruhiko Udono Intermetallics 67, 75-80 2015/08/24 10.1016/j.intermet.2015.07.015
  4. 研究論文(国際会議プロシーディングス) 共著 Fabrication and characterization of Mg2Si pn-junction photodiode with a ring electrode K. Daitoku, M. Takezaki, S. Tanigawa, D. Tsuya, H. Udono JJAP Conf. Proc. 3, 11103 2015/06/08
  5. 研究論文(国際会議プロシーディングス) 共著 Characterization of band structure of K8Ga8Si38 clathrate by optical measurement Masaru Iioka, Haruhiko Udono, Motoharu Imai, and Masato Aoki JJAP Conf. Proc. 3, 011201 2015/06/08

研究発表

  1. 口頭発表(一般) サファイア基板へのマグネシウムシリサイド薄膜固相合成 平成27年電気学会全国大会 2015/03/25
  2. 口頭発表(一般) リング電極Mg2Si フォトダイオードにおけるメサ構造の形成 第62回応用物理学会春期学術講演会 2015/03/13
  3. 口頭発表(招待・特別) Mg2Si pn接合ダイオードのAg拡散係数評価と拡散深さ制御 第62回応用物理学会春期学術講演会 2015/03/12
  4. ポスター発表 溶液法で合成した単相MnSi1.75-xの電気特性評価 第62回応用物理学会春期学術講演会 2015/03/12
  5. ポスター発表 ウェットエッチングによるメサ型Mg2Si pn接合ダイオードの作製 第62回応用物理学会春期学術講演会 2015/03/12

知的財産権

  1. 特許 GaあるいはSnでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体およびその製造方法 特願2010-75467 2010/03/30
  2. 特許 シリコン薄膜または同位体濃縮シリコン薄膜の製造方法 2008-303078 2008/12/18
  3. 特許 β-FeSi2結晶の製造法および製造装置 2000/06/16 2002-3300 3912959 2007/02/09
  4. 特許 鉄シリサイド結晶の製造方法 1999/02/22 2000-247624 3891722 2006/12/15

受賞

  1. Young Scientist Award (APAC-Silicide 2016) Oxidation Resistance of Impurity Doped Mg2Si Grown from the Melt 2016/07/18 指導学生受賞
  2. 第22回電気学会茨城支所 学生発表優秀賞ポスター発表(指導学生) Mg2Si溶融結晶の格子熱伝導率の低減と熱電性能の改善 2014/11/22 指導学生の受賞
  3. 第22回電気学会茨城支所 学生発表優秀賞口頭発表(指導学生) Mg2Si溶融結晶の格子熱伝導率の低減と熱電性能の改善 2014/11/22 指導学生の受賞
  4. 第75回応用物理学会秋季学術講演会 講演奨励賞(指導学生) スパッタエッチングによるMg2Si結晶中のAg熱拡散深さの評価 2014/09/20 指導学生受賞
  5. Young Scientist Award (ICSS-Silicide 2014) Evaluation of Mg2Si pn-junction depth by sputter etching 2014/07/20 指導学生受賞

所属学協会

  1. 応用物理学会 1993/03-現在
  2. 応物 シリサイド系半導体及び関連物質研究会 2001/04-現在
  3. 電子情報通信学会
  4. 米国材料科学会
  5. 米国物理学会 2006/05-現在

委員歴

  1. 日本熱電学会 評議員 2016/09/01-2018/08/31
  2. 応物 シリサイド系半導体及び関連物質研究会 企画委員 2016/01/01-2018/12/31
  3. 日本熱電学会 評議員 2014/09/01-2016/08/31
  4. 応物 シリサイド系半導体及び関連物質研究会 企画委員 2013/01/01-2015/12/31
  5. 応物 シリサイド系半導体及び関連物質研究会 委員長 (Chair) 2010/01-2012/12