茨城大学
理工学研究科(工学野)
物質科学工学領域

顔写真
教授

篠嶋 妥

ササジマ ヤスシ
SASAJIMA Yasushi

経歴

  1. 茨城大学助手工学部金属工学科 1986/04/01-現在
  2. 茨城大学助手工学部物質工学科 1990/10/01-現在
  3. 茨城大学助教授工学部物質工学科 1995/04/01-現在
  4. 茨城大学准教授工学部物質工学領域 2007/04/01-現在

学歴

  1. 東京大学 工学部 金属材料学科 1984/03 卒業
  2. 東京大学 工学系研究科 金属工学 修士 1986/03 修了

学位

  1. 工学士 東京大学 1984/03
  2. 工学修士 東京大学 1984/03
  3. 博士(工学) 東京大学 1992/03

教育・研究活動状況

計算材料科学

研究分野

  1. 金属物性

研究キーワード

  1. 材料挙動の計算機シミュレーション,分子動力学法,モンテカルロ法,フェーズフィールド法

研究テーマ

  1. ナノスクラッチ試験の計算機実験 分子動力学法によりナノスクラッチ試験の計算機実験を行い、異種物質の構成する界面強度の新しい評価方法を開発する。
  2. フェーズフィールド法による超微細配線の最適熱処理方法の探求 超微細配線の熱処理をフェーズフィールド法によりシミュレートし、結晶りゅうの粗大かを解析することにより、最適熱処理方法を探求する。
  3. 材料への高エネルギー照射の計算機実験 材料に高エネルギー粒子を照射した際の、原子構造の動的変化を分子動力学法により計算し、トラックの形成される条件を明らかにする。
  4. ナノ結晶の構造安定性 ある与えられた温度・圧力下でナノ結晶の原子構造の安定性を計算し、ナノ結晶の材料開発を支援する。

著書

  1. 茨城大学工学基礎ミニマム「物理」 第3著者、他4名 学術図書出版 2002/03/31 熱力学の部分を分担執筆した
  2. コンピュータによるシリコンテクノロジーI 山本良一編、篠嶋 妥 海文堂 1990/04 コンピュータによるシリコンテクノロジーについて、第6章原子間力とその応用について担当し、経験的ポテンシャルによるシリコン材料プロセスのシミュレーションについてレビューした。

論文

  1. 研究論文(学術雑誌) 共著 Effects of Electroplating at Lower Leveler and Suppressor Contents on the Formation of Very Low Resistivity Narrow Cu Interconnects R. Miyamoto, K. Tamahashi, T. Inami, Y. Sasajima and J. Onuki Journal of The Electrochemical Society 166/ 4, D137-D143 2019/03 DOI: 10.1149/2.0991904jes 電気めっきにおいてレベラーおよびサプレッサー添加剤を同時に低減した場合に、極細銅配線の低抵抗率化に相加的に正の影響を及ぼすことを明らかにした。
  2. 研究論文(学術雑誌) 共著 General Expression for Plasma Extraction Transit-Time (PETT) Oscillations from Silicon Bipolar Power SemiconductorDevices K. Saito, T. Wada, and Y. Sasajima IEEE Trans. Electron Devices 66/ 2, 999-1005 2019/02 10.1109/TED.2018.2884987 シリコンバイポーラパワー半導体デバイスからのプラズマ励起遷移時間(PETT)振動を記述する一般的定式化を行い、その抑止方法を提示した。
  3. 研究論文(学術雑誌) 共著 High-Temperature Cycle Durability of Superplastic Al-Zn Eutectoid Solder Joints with Stress Relaxation Characteristics for SiC Power Semiconductor Devices K. Saito, K. Tamahashi, T. Inami, M. Kobiyama, Y. Sasajima, J. Onuki, and Y. Kawamata IEEE Electron Device Letters 40/ 2, 303-306 2019/02 10.1109/LED.2018.2884698 SiCパワー半導体デバイスのための、応力緩和特性を有する超塑性Al-Zn共析はんだ接合の高温サイクル寿命を評価し、その有用性を実証した。
  4. 研究論文(学術雑誌) 共著 Structure analysis of the defects generated by a thermal spike in single crystal CeO2: A molecular dynamics study Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 440, 118-125 2018/12 10.1016/j.nimb.2018.12.013 セリアの単結晶において熱スパイクにより生成する欠陥を分子動力学法によりシミュレートし、構造解析を行った。
  5. 研究論文(学術雑誌) 共著 The Protrusion Behaviors in Cu-TSV during Heating and Cooling Process Bin Liu, Akira Satoh, Kunihiro Tamahashi, Yasushi Sasajima, Jin Onuki, Transactions of The Japan Institute of Electronics Packaging 11, E17-014-1-E17-014-8 2018/06 シリコン貫通電極(TSV:Through Silicon Via)における銅コアが熱処理時につき出す現象の原因を実験及び有限要素法計算により明らかにした。

研究発表

  1. ポスター発表 Si-Al二元系におけるSi固相成長のフェーズフィールドシミュレーション 日本金属学会 2019/03/20 Si-Al二元系におけるSi固相成長のフェーズフィールドシミュレーションを行い、適度な凹凸のある界面の安定性について考察した。
  2. ポスター発表 ロータスアルミニウムにおけるポア成長のフェーズフィールドシミュレーション 日本金属学会 2019/03/20 ロータスアルミニウムにおけるポア成長のフェーズフィールドシミュレーションを行い、継続的にポアを成長させるための条件について考察した。
  3. 口頭発表(一般) Grain Coarsening Mechanism of Cu Confined in Ultra-fine Wire WCSM-2018 (BIT’s 4th Annual World Congress of SmartMaterials -2018) 2018/03/06 超微細配線銅における粒成長機構について、実験、理論計算の両面から得られた知見を講演した。
  4. ポスター発表 Pinning effect of Fe(ClO) compounds on Cu grain growth in very narrow Cu wires : ab initio calculation and Cs-corrected STEM observation 第23回日本MRS年会 2013/12/09 Fe原子がCu粒界に偏析し、Cuの粒成長を阻害し、最終的にFe(ClO)化合物となって粒界3重点に残ることを第1原理計算により導いた。計算結果がCs補正STEM計算とよく合致することを指摘した。
  5. 口頭発表(一般) アモルファスSi/Ge積層薄膜における析出過程の計算機実験 日本金属学会2012秋季大会 2012/09

知的財産権

  1. 特許 半導体集積回路装置用バリア材の探索方法 特願2011-30514
  2. 特許 半導体集積回路装置用ルテニウムバリア膜 特願2011-33019
  3. 特許 半導体集積回路装置及びその製造方法 特願2008-309890
  4. 特許 超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置 特願2015-38589 2015/02/27

担当授業科目

  1. 固体物性I
  2. 物理・数学演習
  3. 数値実験
  4. 計算材料学特論
  5. 計算材料学

所属学協会

  1. 軽金属学会
  2. 日本金属学会
  3. 日本MRS 2010-現在

委員歴

  1. 日本軽金属学会 編集幹事 2015/07/01-2017/06/30