Ibaraki University's
College of Engineering
Department of Materials Science and Engineering

顔写真
Professor

SASAJIMA Yasushi


Career

  1. 茨城大学助手工学部金属工学科 1986/04/01-Present
  2. 茨城大学助手工学部物質工学科 1990/10/01-Present
  3. 茨城大学助教授工学部物質工学科 1995/04/01-Present
  4. 茨城大学准教授工学部物質工学領域 2007/04/01-Present

Academic background

  1. The University of Tokyo Faculty of Engineering 金属材料学科 1984/03 Graduated
  2. The University of Tokyo Graduate School, Division of Engineering 金属工学 Master course 1986/03 Completed

Academic degrees

  1. 工学士 The University of Tokyo 1984/03
  2. 工学修士 The University of Tokyo 1984/03
  3. 博士(工学) The University of Tokyo 1992/03

Current state of research and teaching activities

Computational Materials Science

Research Areas

  1. Metallic Physical Properties

Research keywords

  1. 材料挙動の計算機シミュレーション,分子動力学法,モンテカルロ法,フェーズフィールド法

Subject of research

  1. ナノスクラッチ試験の計算機実験 分子動力学法によりナノスクラッチ試験の計算機実験を行い、異種物質の構成する界面強度の新しい評価方法を開発する。
  2. フェーズフィールド法による超微細配線の最適熱処理方法の探求 超微細配線の熱処理をフェーズフィールド法によりシミュレートし、結晶りゅうの粗大かを解析することにより、最適熱処理方法を探求する。
  3. 材料への高エネルギー照射の計算機実験 材料に高エネルギー粒子を照射した際の、原子構造の動的変化を分子動力学法により計算し、トラックの形成される条件を明らかにする。
  4. ナノ結晶の構造安定性 ある与えられた温度・圧力下でナノ結晶の原子構造の安定性を計算し、ナノ結晶の材料開発を支援する。

Bibliography

  1. 茨城大学工学基礎ミニマム「物理」 第3著者、他4名 学術図書出版 2002/03/31 熱力学の部分を分担執筆した
  2. コンピュータによるシリコンテクノロジーI 山本良一編、篠嶋 妥 海文堂 1990/04 コンピュータによるシリコンテクノロジーについて、第6章原子間力とその応用について担当し、経験的ポテンシャルによるシリコン材料プロセスのシミュレーションについてレビューした。

Papers

  1. Research paper (scientific journal) Joint 熱的照射下にあるAl-Cu合金におけるθ' 析出相の成長過程のフェーズフィールドシミュレーション リュウ ビン,篠嶋 妥,岩瀬 彰宏 日本金属学会誌 80/ 8, 497-502 2016/08 フェーズフィールド法を用いてAl-Cu2元系合金に熱的照射を行うことによって起こるθ′析出相の成長過程をシミュレートし,局所的な組織制御の可能性を指摘した。
  2. Research paper (scientific journal) Joint 第一原理計算によるAl-Zn-Mg合金中の水素の存在位置の解析 永野 隆敏,篠嶋 妥,伊藤 吾朗 軽金属 66/ 7, 1-6 2016/07 第一原理計算を用いて,Al粒内モデル, Al/Al粒界モデルとAl/析出物粒界モデルを作成し,それぞれにおける水素の存在しやすさを形成エネルギーにより比較検討した。Al-Mg-Zn合金における水素原子は、MgZn2析出相との粒界面において半整合界面を選択する傾向があることを明らかにした。
  3. Research paper (scientific journal) Joint Simulation of the Si precipiation process in Mg2Si using a phase-field kinetic model  Bin Liu, Teruyuki Ikeda and Yasushi Sasajima Materials Transactions 57/ 6, 922-926 2016/06 熱電材料として有望なMg2Siについて、その微細組織制御のためのSi析出過程をフェーズフィールド法により計算した。アイゲン歪により所望の微細組織が実現できる可能性を指摘した。
  4. Research paper (scientific journal) Joint The Relationship between Nanocluster Precipitation and Thermal Conductivity in Si/Ge Amorphous Multilayer Films: Effects of Cu Addition Ahmad Ehsan Mohd Tamidi and Yasushi Sasajima Journal of Nanomaterials Article ID/ 8017814, 1-7 2016/04/01 熱電材料として有望なアモルファスSi/Ge多層膜について、アニールに伴う析出過程を分子動力学法により計算し、熱伝導率への影響を考察した。Cu層を多層膜の界面に挿入することにより、ナノクラスターの生成を容易にし、熱伝導率の上昇を抑えることを指摘した。
  5. Research paper (scientific journal) Joint Pinning Effect of Fe(ClO) and Ti(ClO) Compounds on Cu Grain Growth in Very Narrow Cu Wires Takatoshi Nagano, Yasushi Sasajima, Nobuhiro Ishikawa, Kunihiro Tamahashi, Kishio Hidaka and Jin Onuki ECS Electrochemistry Letters 4/ 11, D1-D5 2015

Research presentations

  1. Poster presentation Pinning effect of Fe(ClO) compounds on Cu grain growth in very narrow Cu wires : ab initio calculation and Cs-corrected STEM observation 第23回日本MRS年会 2013/12/09 Fe原子がCu粒界に偏析し、Cuの粒成長を阻害し、最終的にFe(ClO)化合物となって粒界3重点に残ることを第1原理計算により導いた。計算結果がCs補正STEM計算とよく合致することを指摘した。
  2. Oral presentation(general) アモルファスSi/Ge積層薄膜における析出過程の計算機実験 日本金属学会2012秋季大会 2012/09
  3. Oral presentation(general) 単結晶への高速粒子線照射の分子動力学シミュレーション 日本金属学会2012秋季大会 2012/09
  4. Oral presentation(general) 超微細配線中のCu粒成長に及ぼす不純物元素の影響 日本金属学会2012秋季大会 2012/09
  5. Oral presentation(general) 薄膜の粒成長に及ぼす基板の影響 日本金属学会2012秋季大会 2012/09

Intellectual property rights

  1. Patent 半導体集積回路装置用バリア材の探索方法 特願2011-30514
  2. Patent 半導体集積回路装置用ルテニウムバリア膜 特願2011-33019
  3. Patent 半導体集積回路装置及びその製造方法 特願2008-309890
  4. Patent 超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置 特願2015-38589 2015/02/27

Alloted class

  1. 固体物性I
  2. 物理・数学演習
  3. 数値実験
  4. 計算材料学特論
  5. 計算材料学

Memberships of academic societies

  1. 軽金属学会
  2. 日本金属学会
  3. 日本MRS 2010-Present

Committee Career

  1. 日本軽金属学会 編集幹事 2015/07/01-2017/06/30